1. 投资摘要
Samsung Electronics 是全球前三 HBM 供应商中“传统 DRAM 规模最大、HBM 追赶压力最大”的反扑型资产：2025 年、经营利润 43.60 万亿韩元、归母，2026Q1 收入进一步升至 133.9 万亿韩元、经营利润 57.2 万亿韩元，单季经营利润已经超过 2025 全年经营利润 31%。13011302
HBM 定位上，Samsung 2024-2025 年在 NVIDIA 高端 HBM3E 认证、12-Hi 堆叠热/功耗和封装良率上落后 SK hynix，Reuters 2024-05-24 报道其 HBM3/HBM3E 因热与功耗问题未通过 NVIDIA 测试，后续 2025-09 12-Hi HBM3E 通过测试的报道仍属于媒体/供应链口径，不等同于大规模份额恢复。13031304
反扑变量是 HBM4 而非 HBM3E：Samsung 在 2026Q1 材料中称已开始面向 NVIDIA Vera Rubin 平台销售 HBM4 与 SOCAMM2，并计划 2026Q2 交付首批 HBM4E 样品；若 2026H2 HBM4 base-die 和 12-Hi 堆叠良率同时过关，DS 部门的收入弹性会从“普通 DRAM 涨价”转向“HBM mix 修复”。1302
截至 2026-05-27 09:07 KST，005930.KS 市值约 1,898.24 万亿韩元，口径为 StockAnalysis 的 KRX 延迟行情；若用 TTM 计算，TTM PE 约 22.8 倍，币种为韩元，行情源为 C 级且未覆盖 2026-05-28 KRX 完整收盘，因此估值表采用“C 级快照 + 日期标注”而不写成 2026-05-28 已结算事实。13051306
结论上，Samsung 的核心不是“有没有 AI 需求”，而是 3 个阈值：HBM4 是否进入 NVIDIA/AMD/自研 ASIC 的主流 allocation，12-Hi 良率是否接近 SK hynix/Micron 的可量产水平，以及 Foundry 4nm/2nm base-die 能否把 HBM 供应链从单一内存销售升级为 memory + logic + packaging 组合。13021307
2. 产业链位置
Samsung 位于 HBM 产业链的 DRAM die、TSV 堆叠、advanced packaging、HBM base-die foundry 和 AI server memory supply 五个节点，覆盖深度强于纯 DRAM 厂，但在 HBM 客户认证节奏上落后于 SK hynix 的 NVIDIA 先发绑定。13021308
与 SK hynix 相比，Samsung 的优势是存储、代工、先进封装、手机 SoC 和显示的集团资源协同；劣势是 2024-2025 年 HBM3E 的热/功耗/良率叙事使高端 AI 客户把早期份额给了 SK hynix 和 Micron，导致 Samsung 在 HBM premium ASP 中的捕获率低于其传统 DRAM 份额。13031309
EUV DRAM wafer
-> HBM core die
-> TSV / micro-bump / 8-Hi / 12-Hi stack
-> base die / logic interface
-> GPU/ASIC package with CoWoS/2.5D
-> AI server HBM capacity allocation
3. AI 相关收入拆解（公式 + 季度桥）
| 口径 | 2025A | 2026Q1 | 2026E 场景 | 计算/判断 |
|---|---|---|---|---|
| 集团收入 | 333.61 万亿韩元1301 | 133.9 万亿韩元1302 | 535.6 万亿韩元 = 133.9 × 4 | Q1 年化仅作 run-rate，不是公司指引 |
| DS 收入 | 未在 FY2025 摘要完整单列 | 81.7 万亿韩元1302 | 326.8 万亿韩元 = 81.7 × 4 | DS 包含 Memory、S.LSI、Foundry |
| Memory 收入 | 未单列于 FY2025 摘要 | 74.8 万亿韩元1302 | 299.2 万亿韩元 = 74.8 × 4 | AI DDR5/HBM/SSD 与传统 DRAM/NAND 混合 |
| HBM 收入 | 公司未披露 | [未核实 — 待补 A/B 源] | 基准 45 万亿韩元 = 299.2 × 15% | 15% 为情景假设，因 Samsung 未披露 HBM 收入占比 |
| HBM 毛利 | 公司未披露 | [未核实 — 待补 A/B 源] | 27.6 万亿韩元 = 45 × 61.2% | 使用集团 Q1 gross margin 61.2% 作 proxy，真实 HBM GM 可能更高或更低1302 |
季度桥：2025Q4 集团、经营利润 20.1 万亿韩元，2026Q1 集团、，DS 、，Memory 、，说明 AI memory 与行业涨价把收入弹性集中到 DS/Memory，而非手机或显示。13021310
公式：Samsung AI memory proxy = Memory revenue × HBM/AI DDR5/SSD mix；因公司未披露 HBM 收入、ASP、bit shipment 和客户 allocation，本文将 HBM 收入占比全部标为情景假设，避免把供应链估算写成公司事实。1302
4. 核心产品（含收入贡献）
| 产品 | 技术代际 | 关键参数 | 收入贡献 | 状态 | 证据 |
|---|---|---|---|---|---|
| HBM3E 8-Hi/12-Hi | 第 5 代 HBM | 8/12 层堆叠，面向 H200/B200/MI 系列 | 未披露；2025 份额落后 | 12-Hi 认证进展存在媒体口径差异 | Reuters/媒体称 2024 热功耗未过，2025 12-Hi 通过测试为媒体报道13031304 |
| HBM4 | 第 6 代 HBM | 面向 NVIDIA Vera Rubin，搭配 base die | 未披露；2026 反扑核心 | 公司称已开始 mass product sales | Samsung 2026Q1 材料1302 |
| HBM4E | HBM4 扩展代 | 样品面向 2026H2/后续 GPU/CPU | 未披露 | 2026Q2 首批样品计划 | Samsung 2026Q1 材料1302 |
| SOCAMM2 | AI server memory module | Vera Rubin 平台内存模块 | 未披露 | 公司称已开始销售 | Samsung 2026Q1 材料1302 |
| 4nm HBM base-die / LPU | Foundry + memory 协同 | AI/HPC base-die 供应 | 未披露 | 2026H2 目标提升 HBM4 B-die 供应 | Samsung 2026Q1 材料1302 |
5. 上游 / 下游
| 环节 | 关键变量 | Samsung 敏感度 | 量化阈值 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 上游 EUV/DRAM wafer | 1c/1d DRAM 良率、EUV tool 排产 | HBM die 成本和产能由前段良率决定 | HBM die 良率低于普通 DRAM 10pct 时，毛利率明显低于 SK hynix | [未核实 — 待补 A/B 源] |
| 上游封装 | TSV、micro-bump、underfill、12-Hi warpage | 12-Hi 良率决定客户认证和供货上限 | 12-Hi 良率若低于 70%，大客户 allocation 难以恢复 | [未核实 — 待补 A/B 源] |
| 下游 GPU | NVIDIA Vera Rubin / Blackwell 后续 | 2026H2 HBM4 allocation 是关键催化 | 单一平台进入主供可带来数万亿韩元级季度收入弹性 | 1302 |
| 下游 ASIC | Broadcom/Marvell/云厂自研 ASIC | HBM4 base-die 与 custom logic 可协同 | 自研 ASIC 每 10 万片 HBM4 allocation 对收入有显著放大 | [未核实 — 待补 A/B 源] |
| 下游服务器 | Hyperscaler AI capex | 普通 DRAM、DDR5、SSD 和 HBM 同时受益 | AI server 内存短缺若延续至 2027，Memory ASP 中枢上移 | 1302 |
6. 同业硬指标对比表
| 公司 | 收入 | 增速 | GM | 净利率 | FCF margin | 客户集中度 | 技术代际 | PE TTM | 反证条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Samsung | 2025 333.61 万亿韩元；2026Q1 133.9 万亿韩元13011302 | 2026Q1 +69% YoY1302 | 2026Q1 61.2%1302 | 2026Q1 35.3%1302 | 2025 11.3% = (85.32 - 47.52) / 333.6113011311 | AI HBM 客户集中但未披露 | HBM4、SOCAMM2、4nm base-die | 约 22.8x，2026-05-27 KST，KRW13051306 | 2026H2 HBM4 未进入主流 allocation，或 DS OP margin 低于 45% |
| SK hynix | 2025 97.15 万亿韩元1312 | 2025 收入较 2024 +47%1312 | 2025 约 60.4%1313 | 2025 约 44%1312 | C 级待核 | NVIDIA/HBM 客户集中度高 | HBM3E/HBM4 先发 | C 级待核 | HBM share 被 Samsung/Micron 抢回，或客户转向多供 |
| Micron | FY2026Q2 收入 77.49 亿美元1314 | FY2026Q2 +162.9% YoY1314 | FY2026Q2 non-GAAP GM 约 50%+，口径需核对1314 | FY2026Q2 净利率待核 | FY2026Q2 adj. FCF 待核 | NVIDIA/AI 客户集中上升 | HBM4 12H for Vera Rubin | C 级待核 | HBM4 出货不达预期或传统 NAND 价格回落 |
| Kioxia | FY2026 收入约 2.34 万亿日元1315 | +37% YoY1315 | NAND 价格恢复，GM 待官方表 | 净利约 0.55 万亿日元1315 | 待核 | NAND/hyperscaler LTA | NAND/SSD，无 HBM | C 级待核 | NAND ASP 回落或 AI SSD LTA 延迟 |
| Nanya | 2025 收入待核 | DRAM 上行周期敏感 | 低于三大厂 | 低于三大厂 | 待核 | PC/consumer DRAM 更高 | Commodity DRAM | C 级待核 | DDR5 价格反转或无 HBM 杠杆 |
注：SK hynix、Micron、Kioxia 的 PE 和部分 FCF 口径未在同一 A/B 源中取得，因此保留“C 级待核”；表内关键经营数字优先使用公司披露或交易所/官方来源。131213141315
7. 护城河
- 规模护城河：Samsung 2025 年集团收入 333.61 万亿韩元、2026Q1 Memory 收入 74.8 万亿韩元，绝对规模使其在 EUV、DRAM wafer、封装材料和客户备份供应中仍具备议价权。13011302
- 垂直整合护城河：Samsung 同时拥有 Memory、Foundry、System LSI、advanced packaging 和终端产品，HBM4 base-die 与 AI/HPC LPU 供应可形成集团内协同。1302
- 现金护城河：2026Q1 期末现金口径 147.38 万亿韩元、净现金 119.24 万亿韩元，允许公司在 HBM4、2nm、4nm base-die 和 EUV 上同时扩产。1302
- 客户备份价值：AI accelerator 客户不愿 HBM 供应长期依赖单一厂商，Samsung 即使 2025 份额落后，仍具备“第二/第三供应商”战略价值。13031308
- 反向约束：若 12-Hi/HBM4 良率持续低于 SK hynix/Micron，规模和现金无法自动转化为 HBM premium ASP，护城河会停留在普通 DRAM 层面。13031304
8. 财务质量（近 4-6 季度）
| 季度 | 收入 | GM | NM | FCF | 质量判断 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2025Q1 | 79.1 万亿韩元1302 | 35.5%1302 | 10.4%1302 | 4.45 万亿韩元 = 16.58 - 12.131302 | 普通存储周期仍弱，DS OP 仅 1.1 万亿韩元 |
| 2025Q4 | 93.8 万亿韩元1302 | 47.2%1302 | 20.9%1302 | 17.25 万亿韩元 = 28.80 - 11.551302 | 行业涨价和 AI memory 开始改善 |
| 2026Q1 | 133.9 万亿韩元1302 | 61.2%1302 | 35.3%1302 | 23.14 万亿韩元 = 40.27 - 17.131302 | DS OP 53.7 万亿韩元，Memory 收入 |
| 2025A | 333.61 万亿韩元1301 | 39.4% = 131.37 / 333.611301 | 13.3% = 44.26 / 333.611301 | 37.79 万亿韩元 = 85.32 - 47.521311 | 年度利润恢复但 HBM premium 捕获不足 |
质量判断：2026Q1 的 42.8% 经营利润率与 61.2% 毛利率体现存储超级周期弹性，但 2025A FCF margin 只有 11.3%，说明 HBM4/先进制程/封装 capex 会持续吸收现金，不能只看单季利润年化。13021311
9. 业绩传导路径
Samsung 的 HBM 投资传导可拆成“认证份额 × 12-Hi 良率 × ASP premium × DS margin”四段：认证决定能否进入 NVIDIA/AMD/ASIC allocation，良率决定每片 wafer 可售 HBM stack，ASP premium 决定收入弹性，DS margin 决定利润兑现。13021303
基准情景下，若 2026E Memory 收入按 Q1 年化 299.2 万亿韩元、HBM/AI 产品占比按 15%、毛利率按集团 Q1 61.2% proxy，则 HBM/AI memory 毛利 proxy 为 27.6 万亿韩元；上行情景中占比升至 25% 时，毛利 proxy 升至 45.8 万亿韩元，较基准多 18.2 万亿韩元。1302
HBM4 customer qualification
-> 12-Hi yield + base-die supply
-> HBM allocation share +5-10ppt
-> Memory revenue mix shifts to AI products
-> DS OP margin sustains above 55%
-> SOTP memory multiple rerates
10. SOTP 估值表
| 情景 | 分部 | 2026E 收入/利润假设 | 倍数 | 估值贡献 | 公式 |
|---|---|---|---|---|---|
| 下行情景 | Memory/DS | OP 120 万亿韩元 | 8x EBIT | 960 万亿韩元 | 120 × 8 |
| 下行情景 | DX/MX/VD/DA | OP 12 万亿韩元 | 10x EBIT | 120 万亿韩元 | 12 × 10 |
| 下行情景 | SDC/Harman/其他 | OP 8 万亿韩元 | 8x EBIT | 64 万亿韩元 | 8 × 8 |
| 下行情景 | 净现金 | 119 万亿韩元 | 加回 | 119 万亿韩元 | 2026Q1 net cash1302 |
| 下行情景 | 情景市值/每股折算 | 不适用 | 不适用 | 1,263 万亿韩元 / 约 212,000 韩元 | 1,263tn / 5.97bn 普通股 proxy |
| 基准 | Memory/DS | OP 170 万亿韩元 | 10x EBIT | 1,700 万亿韩元 | 170 × 10 |
| 基准 | DX/MX/VD/DA | OP 15 万亿韩元 | 11x EBIT | 165 万亿韩元 | 15 × 11 |
| 基准 | SDC/Harman/其他 | OP 10 万亿韩元 | 9x EBIT | 90 万亿韩元 | 10 × 9 |
| 基准 | 净现金 | 119 万亿韩元 | 加回 | 119 万亿韩元 | 2026Q1 net cash1302 |
| 基准 | 情景市值/每股折算 | 不适用 | 不适用 | 2,074 万亿韩元 / 约 347,000 韩元 | 2,074tn / 5.97bn 普通股 proxy |
| 上行情景 | Memory/DS | OP 230 万亿韩元 | 12x EBIT | 2,760 万亿韩元 | 230 × 12 |
| 上行情景 | DX/MX/VD/DA | OP 17 万亿韩元 | 12x EBIT | 204 万亿韩元 | 17 × 12 |
| 上行情景 | SDC/Harman/其他 | OP 12 万亿韩元 | 10x EBIT | 120 万亿韩元 | 12 × 10 |
| 上行情景 | 净现金 | 130 万亿韩元 | 加回 | 130 万亿韩元 | 2026E FCF 留存 proxy |
| 上行情景 | 情景市值/每股折算 | 不适用 | 不适用 | 3,214 万亿韩元 / 约 538,000 韩元 | 3,214tn / 5.97bn 普通股 proxy |
估值纪律：基准 SOTP 的 2,074 万亿韩元与 2026-05-27 KST C 级市值 1,898 万亿韩元相差约 9%，说明市场已经把 2026Q1 存储超级周期部分计入；真正的上行情景需要 HBM4 份额修复，而非单纯普通 DRAM ASP 上涨。13051306
11. 催化（4-6 条带时点）
- 2026Q2：Samsung 计划交付首批 HBM4E 样品，若样品获得关键客户正反馈，2026H2 allocation 可上修。1302
- 2026H2：公司计划面向新 GPU/CPU 的早期需求推进 AI 产品销售策略，若 HBM4 与 SOCAMM2 同时进入量产订单，Memory mix 会继续上移。1302
- 2026H2：Foundry 目标提高 HBM4 B-die 供应，若 4nm base-die 供应放量，HBM4 交付约束可从外部代工转向内部协同。1302
- 2026Q2-Q4：若 DS OP margin 连续维持 55% 以上，说明 HBM/AI memory mix 与 DRAM ASP 同时贡献，而非一次性价格反弹。1302
- 2027：若 HBM 短缺延续至 2027，Samsung 作为多供备份的战略价值上升，但需以客户认证和出货披露确认。13021303
12. 核心风险（4-6 条 + 情景模拟）
- HBM4 良率风险：若 HBM/AI memory 占 2026E Memory 收入比例从基准 15% 降至 8%，按 299.2 万亿韩元 Memory 年化收入和 61.2% GM proxy，毛利 proxy 会从 27.6 万亿降至 14.6 万亿韩元，差额 13.0 万亿韩元。1302
- 客户认证风险：若 NVIDIA/AMD/ASIC 客户仅把 Samsung 作为小比例备份供应商，SOTP 中 Memory/DS 倍数可能从 10x 回落至 8x，基准估值减少约 340 万亿韩元。13031304
- 普通 DRAM 周期风险：若 2026Q1 的行业价格上涨在 2026H2 反转，Memory 收入年化 299.2 万亿韩元会高估全年，DS OP margin 可能从 66% 回落至 45% 以下。1302
- Capex 与 FCF 风险：2025 年 PP&E 采购 47.52 万亿韩元、2026Q1 PP&E 采购 17.13 万亿韩元，若 HBM4 订单不兑现，扩产折旧会压低 2027 毛利率。13111302
- 代工执行风险：若 2nm/4nm base-die 和 AI/HPC LPU ramp 延迟，Samsung 的“memory + foundry”协同无法转化为 HBM4 竞争优势。1302
13. 常见误读纠偏
- 误读：Samsung 集团规模大，所以 HBM4 份额会自然回归第一。实际情况：HBM4 份额由客户认证、12-Hi/16-Hi 良率、功耗热表现和 allocation 决定，集团现金与晶圆规模不能自动替代 NVIDIA/AMD 认证。13021303
- 误读：DS 单季高 OPM 全部来自 HBM。实际情况：2026Q1 DS OPM 受普通 DRAM 价格、AI memory mix、NAND/SSD 和库存周期共同影响，Samsung 未单列 HBM 收入或 HBM 毛利率，不能把 DS 利润率直接当 HBM 利润率。1302
14. 跟踪指标
| 频率 | 指标 | 判断阈值 | 数据来源 |
|---|---|---|---|
| 每季度 | Memory 收入 | 环比高于集团收入增速 10pct 以上 | Samsung earnings presentation |
| 每季度 | DS OP margin | >55% 说明 AI memory mix 健康；<45% 说明普通周期占主导 | Samsung earnings presentation |
| 每季度 | HBM4/HBM4E 客户进度 | 样品、认证、量产、allocation 四段至少推进一段 | 公司公告/客户材料/会议 |
| 每季度 | PP&E 采购 | 高于 15 万亿韩元/季说明扩产强度仍高 | Samsung cash flow |
| 半年 | 12-Hi 良率 | 低于 70% 为负面，接近 80% 为份额修复前提 | [未核实 — 待补 A/B 源] |
| 半年 | HBM 市占率 | 低于 20% 表明仍落后，高于 30% 表明反扑有效 | TrendForce/Yole/付费行业研究 |
15. 最新事件（含分级）
- [已发生] 2026-01-29，Samsung 披露 2025 年收入 333.6 万亿韩元、经营利润 43.6 万亿韩元，2025 年经营利润同比增长 33%。1310
- [已发生] 2026-04-30，Samsung 披露 2026Q1 收入 133.9 万亿韩元、经营利润 57.2 万亿韩元、DS 收入 81.7 万亿韩元、Memory 收入 74.8 万亿韩元。1302
- [指引] 2026-04-30，Samsung 称 2026Q2 将交付首批 HBM4E 样品，并在 2026H2 面向新 GPU/CPU 推进 AI 产品销售策略。1302
- [已发生] 2026-04-30，Samsung 称已开始面向 NVIDIA Vera Rubin 平台销售 HBM4 与 SOCAMM2；该表述为公司材料口径，但具体客户收入、份额和良率未披露。1302
- [供应链估算] 2024-05-24，Reuters 报道 Samsung HBM3/HBM3E 因热与功耗问题未通过 NVIDIA 测试；Samsung 当时否认“质量测试失败”口径，因此该事件应写成“媒体报道 + 公司否认”，不可单独写成已确认良率事实。13031316
- [供应链估算] 2025-09，媒体称 Samsung 12-Hi HBM3E 通过 NVIDIA 测试，但大规模供货仍需 2026 订单和客户系统搭载验证。1304
16. 来源
- 来源：Samsung Electronics Consolidated Statements of Profit or Loss FY2025 — Samsung Electronics — 2026 — images.samsung.com/is/content/samsung/assets/global/ir/docs/2025_con_quarter04_soi.pdf
- 来源：Samsung Electronics 1Q 2026 Earnings Presentation — Samsung Electronics — 2026-04-30 — images.samsung.com/is/content/samsung/assets/global/ir/docs/2026_1Q_conference_eng.pdf
- 来源：Samsung’s HBM chips failing Nvidia tests due to heat and power consumption woes — Reuters report reposted by The Star / Bloomberg Law — 2024-05-24 — www.thestar.com.my/tech/tech-news/2024/05/24/exclusive-samsung039s-hbm-chips-failing-nvidia-tests-due-to-heat-power-consumption-woes-sources-say
- 来源：Samsung passes Nvidia qualification test for 12-layer HBM3E chip, report — Korea Economic Daily / Investing.com repost — 2025-09 — www.investing.com/news/stock-market-news/samsung-passes-nvidias-qualification-test-for-12layer-hbm3e-chip-report-93CH-4246550
- 来源：Samsung Electronics KRX:005930 Statistics & Valuation Metrics — StockAnalysis — last updated 2026-05-27 09:07 KST — stockanalysis.com/quote/krx/005930/statistics/
- 来源：Samsung Electronics KRX:005930 Financials and TTM net income — StockAnalysis — accessed 2026-05-28 — stockanalysis.com/quote/krx/005930/financials/cash-flow-statement/
- 来源：Samsung Semiconductor HBM4 product and newsroom materials — Samsung Semiconductor — accessed 2026-05-28 — news.samsungsemiconductor.com/global/
- 来源：HBM Industry Analysis 4Q25 preview — TrendForce — 2025-10 — www.trendforce.com/research/download/RP251029MY (A, paid-preview)
- 来源：DRAM Revenue Drops 5.5% in 1Q25; SK hynix Overtakes Samsung — TrendForce — 2025-06-03 — www.trendforce.com/presscenter/news/20250603-12603.html
- 来源：Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2025 Results — Samsung Newsroom — 2026-01-29 — news.samsung.com/my/samsung-electronics-announces-fourth-quarter-and-fy-2025-results
- 来源：Samsung Electronics Consolidated Statements of Cash Flows FY2025 — Samsung Electronics — 2026 — images.samsung.com/is/content/samsung/assets/global/ir/docs/2025_con_quarter04_cf.pdf
- 来源：SK hynix 2025 annual results via FSS filing report — AJU Press — 2026-01-28 — www.ajupress.com/view/20260128165470969
- 来源：SK hynix Financials & Income Statement — StockAnalysis — accessed 2026-05-28 — stockanalysis.com/quote/krx/000660/financials/
- 来源：Micron Technology Reports Results for the Second Quarter of Fiscal 2026 — Micron Technology — 2026-03-18 — micron.gcs-web.com/news-releases/news-release-details/micron-technology-inc-reports-results-second-quarter-fiscal-2026
- 来源：Kioxia FY2025/FY2026 financial results summary — StorageNewsletter / company document repost — 2026-05-19 — www.storagenewsletter.com/2026/05/19/kioxia-fiscal-4q25-and-fy-2025-financial-results/
- 来源：Samsung denies HBM test failure reports — Korea JoongAng Daily — 2024-05-24 — koreajoongangdaily.joins.com/news/2024-05-24/business/tech/Samsung-denies-HBM-test-failure-reports-stock-stock-falls/2054030
- 来源：Micron in High-Volume Production of HBM4 Designed for NVIDIA Vera Rubin, PCIe Gen6 SSD and SOCAMM2 — Micron Technology — 2026-03 — micron.gcs-web.com/news-releases/news-release-details/micron-high-volume-production-hbm4-designed-nvidia-vera-rubin
- 来源：HBM market share and HBM4 shipment growth preview — TrendForce paid research preview — 2025-2026 — www.trendforce.com/research/ (A, paid-preview)