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ASML · ASML Holding · Stacy Rasgon 的视角

阿斯麦

Stacy Rasgon × ASML

阿斯麦是先进逻辑、DRAM 与 HBM 制造中 EUV/DUV 光刻和 holistic lithography 的关键设备平台，AI 芯片推动先进节点、先进封装前段和存储微缩需求，但其增长受客户资本开支周期、High-NA EUV 吞吐/良率、出口管制和超复杂供应链交付能力约束。

速览 · 10 秒看懂数据截至 2026-06-23

阿斯麦是先进逻辑、DRAM 与 HBM 制造中 EUV/DUV 光刻和 holistic lithography 的关键设备平台，AI 芯片推动先进节点、先进封装前段和存储微缩需求，但其增长受客户资本开支周期、High-NA EUV 吞吐/良率、出口管制和超复杂供应链交付能力约束。

他的立场中性9 条发声
观点印证台账1 条 · 待验 1不按表现排序
估值位置见财报块历史/同业分位待补

下面各块可点导航跳转：前瞻研判（他怎么看未来）· 观点印证台账 · 我们的数据验证 · 真财报 · 产业逻辑深析。所有当前数字以「财报」块为准（实时）。观点 更新于 2026-06-23；前瞻周更；页面以重建为准。

前瞻研判 · 他怎么看接下来

未来怎么走、盯什么事、什么信号验证或推翻

下面是 Stacy Rasgon 本人对 ASML 的前瞻判断与该盯的催化剂——我们如实呈现他的研判，不替你下结论，判断仍归你自己；历史观点只作为公开事实复盘背景。

他的前瞻判断

2026-2030
ASML 的前瞻取决于 AI 需求是否继续拉动先进节点资本开支，以及客户是否把长期 EUV/High-NA 订单转成实际投资

「他覆盖半导体资本设备，方法上会从制程路线、客户 CapEx 和订单可见度审问设备链，而不是只看 AI 口号。」

原推 · 2026-06-25 ↗

催化剂日历 · 未来什么事会推动它

待定 利多
TSMC/Intel/Samsung 先进节点 CapEx、EUV backlog、High-NA adoption

AI 芯片如果持续放量，先进制程工具需求会被验证；若客户推迟节点投资，ASML 的 AI 传导会放慢。

他提及 ↗

事件与时间为客观日历 / 他公开提及；方向标注代表对该票的潜在影响，非买卖建议。

观点印证台账

公开观点与后续公开数据是否一致

数据截至 2026-06-23
⚠️ 待验
ASML 的前瞻取决于 AI 需求是否继续拉动先进节点资本开支，以及客户是否把长期 EUV/High-NA 订单转成实际投资
观点日期 2026-06-25 裁决日 2030-12-31 SEC 13F · signal_position_change

2026-03-31: 2177 家机构申报, 合计净增 6.1M 股, 持仓市值约 $98.0B, 持有机构数较上季 增加 364 家

原始观点 公开数据轨

价格时间轴仅帮助理解公开观点发生的时间位置；本区不按表现排序，不展示由价格涨跌推导的结果。

我们的独有数据 · System2

他的判断，被 13F 资金 / 实物硬数据验了吗

他最近在 ASML 上怎么说

中性2026-06-23

设备链在他那里是供给释放工具层，ASML、AMAT、LRCX、KLAC各对应不同工序。

原帖 ↗
中性2026-06-08

他在Eisman访谈中称AI已从GPU扩散到内存、设备、光学、电力和CPU。

原帖 ↗
中性2026-06-08

他认为Nvidia跑输瓶颈股，是因为投资者轮流追内存、设备、光学和电力约束。

原帖 ↗
看他在 ASML 上的全部 9 条观点流 →
财报与关键数据 · 数据采集中心

真财报 + 13F + 信号

SEC XBRL · 截至 2026-06-23
US$38.4B
FY2025 FY 收入
Yahoo Finance financial statements via holdings.db
52.8%
毛利率 GM
FY2025 FY
34.6%
营业利润率 OPM
FY2025 FY
US$13.0B
自由现金流 FCF
FY2025 FY
US$674.1B
市值(客观)
PS — · 2026-06-08
✓聪明钱看点
  • High-NA EUV 的客户导入节奏、实际吞吐和可用率，比单纯出货台数更能说明下一代护城河。
  • AI 先进逻辑扩产会先体现在 TSMC、Intel、Samsung 对 EUV/DUV 的长期订单和装机服务需求。
  • DRAM/HBM 是否增加 EUV 层数，是 ASML 从逻辑向存储获得第二增长弹性的关键。
  • 出口管制的边界变化会影响 DUV 订单和服务可见度，但不改变 EUV 在最先进节点的结构性瓶颈地位。
⚠口径风险
  • ASML 是设备上游，不直接销售 AI 芯片；AI 景气通过晶圆厂资本开支和制程路线传导。
  • EUV 技术领先不等于每年线性增长，客户扩产和设备交付存在明显周期性。
  • 财报、持有人、估值和 13F 数据块未接入本 JSON，本文不伪造任何财务数字或持仓数据。
  • 中国相关收入、备件和服务受到政策不确定性影响，公开订单需结合许可边界解读。

Yahoo Finance financial statements via holdings.db · FY2025 FY
  • ✓FY2025 FY 毛利率 52.8%，毛利 US$20.3B
  • ✓FY2025 FY 营业利润率 34.6%，营业利润 US$13.3B
  • ✓FY2025 FY 净利率 29.4%，净利润 US$11.3B
  • ✓FY2025 FY FCF US$13.0B
毛利率 GM 52.8%
营业利润率 OPM 34.6%
净利率 NM 29.4%

ASML 的 AI 相关收入由哪些业务构成？

SEC-FORM4-HOLDINGSDB · 2026-06-24
集团收入趋势 · US$B
FY2025Q1FY2025Q2FY2025Q3FY2025Q4FY2026Q1

阿斯麦在AI产业链依赖谁、被谁依赖、和谁竞争？

上游 / 下游 / 竞品
上游
  • ZEISS SMT
  • TRUMPF
  • Cymer
  • Berliner Glas
  • VDL Groep
  • MKS Instruments
下游
  • 台积电
  • 三星电子
  • Intel
  • SK hynix
  • 美光科技
  • 中芯国际
竞品
  • Nikon
  • Canon
  • Applied Materials
  • KLA

阿斯麦靠哪些产品/平台支撑收入？

含收入贡献 / 量产状态

NXE EUV 光刻系统

0.33 NA EUV

13.5nm EUV 曝光平台，用于先进逻辑、DRAM 和关键层高分辨率图形化。

收入贡献先进节点晶圆厂核心资本设备，支撑 ASML 高端系统收入和服务收入。
量产成熟度
量产

EXE High-NA EUV 光刻系统

0.55 NA High-NA EUV

更高数值孔径 EUV 平台，面向 2nm 后逻辑和未来 DRAM 微缩，降低部分多重曝光复杂度。

收入贡献下一代增长平台，短期以客户早期导入和工艺开发为主。
量产成熟度
路线披露/客户导入

NXT ArF Immersion DUV 系统

ArFi

浸没式深紫外光刻，用于成熟/先进节点多重图形化、存储和大量非 EUV 层。

收入贡献DUV 主力产品，服务先进节点非关键层和成熟制程扩产。
量产成熟度
量产

XT/NXT KrF 与 i-line 系统

DUV/成熟制程

用于功率、模拟、传感器、封装相关和成熟逻辑/存储层的曝光。

收入贡献提供成熟制程和中国以外全球 fabs 的稳定装机与服务收入。
量产成熟度
量产

YieldStar 计量系统

光学 metrology

用于 overlay、CD 和图形化过程控制，把曝光结果反馈到光刻机和计算光刻流程。

收入贡献提升 holistic lithography 粘性，带动系统外的软件和服务价值。
量产成熟度
量产

Brion 计算光刻平台

OPC/SMO/计算光刻

提供 OPC、source-mask optimization 和图形化仿真，帮助客户缩短工艺窗口调试。

收入贡献软件与服务型收入，增强客户对 ASML 全流程图形化解决方案的依赖。
量产成熟度
量产

US$B · Yahoo Finance financial statements via holdings.db · FY2026Q1
口径FY2025Q2FY2025Q3FY2025Q4FY2026Q1
收入 9.028.81711.41610.047
毛利 4.7424.5525.9545.323
营业利润 3.682.8964.0313.619
净利润 3.1392.4923.3363.159
FCF 0.4190.28612.851-2.989

缺失期项以 — 表示，未用估算填充。

供应链上每个环节的上行/下行情景是什么？

·

EUV 光学·ZEISS SMT

依赖依赖超高精度反射镜、High-NA 投影光学、污染控制和纳米级像差校正。

↑若 ZEISS High-NA 光学交付和稳定性持续改善，EXE 系统可更快支撑 2nm 后逻辑和先进 DRAM 微缩。
↓若光学模块良率、装调或污染控制受阻，ASML 无法用其他供应商快速替代。

EUV 光源·Cymer/TRUMPF

依赖依赖高功率 CO2 激光、锡滴控制、collector 寿命和 source availability。

↑若光源功率和 uptime 提升，客户每片晶圆曝光成本下降，EUV 层数扩张更容易被资本开支接受。
↓若光源功率或维护频率限制吞吐，客户可能延后新层采用或增加 DUV 多重图形化权衡。

客户资本开支·TSMC/Samsung/Intel

依赖依赖先进节点扩产、AI ASIC/GPU 订单可见度和客户对 High-NA 路线的量产信心。

↑若 AI 先进逻辑需求持续消化 2nm/1.xnm 产能，EUV 与 High-NA 订单能形成多年度能见度。
↓若先进节点客户推迟扩产或 foundry 利用率下降，ASML 订单和交付节奏会被同步拉长。

存储微缩·SK hynix/美光/三星

依赖依赖 DRAM/HBM 图形化、overlay、EUV 层导入和成本/良率平衡。

↑若 HBM4/HBM4E 推动 DRAM 先进节点和 base die 微缩，存储厂 EUV/DUV 需求会增加。
↓若存储厂因周期或良率保守而推迟 EUV 层数，ASML 在存储端的弹性会弱于逻辑端。

计算光刻·Brion/HMI

依赖依赖 OPC、source-mask optimization、e-beam metrology 和图形化全流程数据闭环。

↑若客户把 ASML 机台、软件和计量打包优化，ASML 单机以外的软件服务粘性提升。
↓若客户采用内部 EDA/计量方案或第三方过程控制替代，holistic lithography 溢价会被压缩。

出口许可·荷兰/美国监管

依赖依赖 EUV、先进 DUV 和相关服务的出口许可政策，尤其面向中国大陆先进制程客户。

↑若许可边界稳定，ASML 能更清晰安排 DUV 交付和服务资源。
↓若限制扩大到更多 DUV 型号、备件或服务，成熟制程订单和装机维护收入会承压。

谁在公开披露里持有 ASML？

完整历史 = Pro
持有主体披露市值权重来源 · as_of
C CITADEL ADVISORS LLC
US$6.8B 100.000% SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31
F Fisher Asset Management, LLC
US$6.1B 100.000% SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31
C Capital World Investors
US$4.9B 100.000% SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31
S SUSQUEHANNA INTERNATIONAL GROUP, LLP
US$4.5B 100.000% SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31
F FMR LLC
US$4.2B 100.000% SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31
S STATE FARM MUTUAL AUTOMOBILE INSURANCE CO
US$3.6B 100.000% SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31

和主要同业的定位差在哪？

· 2026-06-24
公司定位关键差异
阿斯麦阿斯麦
 EUV/High-NA EUV、DUV 光刻、计算光刻、计量检测和全流程图形化平台。 唯一量产 EUV/High-NA EUV 光刻系统供应商，核心护城河来自 ZEISS 光学、Cymer 光源、软件和客户工艺数据闭环。
NikonNikon
 DUV、i-line 和 FPD 光刻设备供应商。 在成熟制程仍有基础，但缺少 EUV 量产平台，难以参与最先进 AI 逻辑节点。
CanonCanon
 成熟制程曝光设备、纳米压印和显示曝光设备供应商。 纳米压印具备替代路线想象空间，但先进逻辑 HVM 生态和客户认证远弱于 ASML EUV。
KLAKLA
 过程控制、缺陷检测、overlay 和计量设备领导者。 不卖主曝光机，但在良率学习和缺陷控制中议价强；与 ASML 的计量软件形成互补与局部竞争。
Applied MaterialsApplied Materials
 沉积、刻蚀、离子注入、过程控制和先进封装材料工程平台。 覆盖更多制程步骤，资本开支分散；但没有 ASML 在 EUV 光刻中的单点瓶颈地位。
Lam ResearchLam Research
 刻蚀、沉积、清洗和先进封装工艺设备供应商。 更直接受 3D NAND、DRAM/HBM 和先进封装刻蚀沉积驱动；ASML 更绑定图形化分辨率和先进节点层数。

什么公开信号会推翻当前叙事？（反证阈值·非预测）

产业链
  • ⚠High-NA EUV 量产导入连续多个节点推迟，且主要客户公开降低 EXE 系统采购或采用层数预期。
  • ⚠EUV 光源 uptime、吞吐或维护成本无法达到客户 HVM 要求，导致先进节点重新依赖 DUV 多重图形化。
  • ⚠台积电、三星或 Intel 先进节点资本开支公开下修并伴随 ASML backlog/订单明显转弱。
  • ⚠出口管制扩大到关键 DUV 型号、备件或服务，显著限制中国成熟制程客户的可服务市场。
  • ⚠ZEISS、TRUMPF、精密机械或真空子系统发生长期交付瓶颈，使 ASML 系统产能无法跟随需求。
  • ⚠Nikon/Canon 或新型图形化路线在关键成熟/先进应用中取得可验证替代，而不只是实验室演示。
产业逻辑深析

为什么是这门生意：产业链位置 / 护城河 / 竞争 / 误读纠偏

产业链位置核心产品（含收入贡献）上游供应商 / 下游客户同业硬指标对比表护城河

产业链位置

ASML 位于半导体设备链最上游的光刻环节，EUV 决定 5nm/3nm/2nm 及后续 GAA 逻辑节点的 critical layer 产能，DUV immersion 则覆盖先进封装、成熟节点和存储制程的多重曝光。AI 芯片需求先传导到 TSMC、Samsung、Intel、SK hynix、Micron 的先进晶圆与 DRAM/HBM 产能，再传导到 ASML 的 EUV、DUV、metrology 与 Installed Base Management。20012002

与 AMAT/LRCX/KLAC 相比，ASML 的单点瓶颈更强，但产品集中度也更高：AMAT/LRCX 的沉积/刻蚀覆盖更多工艺步骤，KLAC 控制良率检测与量测，而 ASML 直接控制图形化关键层。

核心产品（含收入贡献）

产品用途收入贡献AI 相关性证据
EUV NXE先进逻辑/DRAM critical layer未单列；系统销售核心3nm/2nm、HBM DRAM 制程瓶颈20012002
High-NA EUV EXE2nm 后续节点、研发/早期量产2026 收入仍爬坡决定后续 scaling 成本曲线2005
DUV immersion多重曝光、成熟节点、存储未单列DRAM/HBM 与先进封装仍需大量 DUV20012002
Metrology & inspectionoverlay/良率控制未单列EUV/DUV 配套，提高良率2005
Installed Base Management服务、升级、field options2026Q1 24.88 亿欧元装机基数复利，提升 WpH20012002

上游供应商 / 下游客户

环节公司/类型关键变量风险/弹性
上游光学Carl Zeiss SMTEUV 光学模组、High-NA 产能关键件交期影响整机交付
上游光源/子系统Cymer 与精密机电供应链光源功率、stage、真空系统供应链瓶颈会放大交付周期
下游 foundryTSMC [TSM]、Samsung、Intel2nm/3nm 扩产、海外 fab先进节点 capex 是 EUV 主拉动
下游存储SK Hynix [SKH]、Samsung、MicronHBM4/DRAM EUV 层数增加存储上行带来 DUV/EUV 组合需求
下游 AI 芯片NVIDIA [NVDA]、Broadcom [AVGO] 等设计方通过晶圆厂间接传导平台延期会传导到客户 capex

同业硬指标对比表

公司最新季度收入同比/环比GM净利率FCF margin客户集中度技术代际PE TTM反证条件
ASML87.67 亿欧元QoQ -9.8%53.0%31.4%-29.7%先进晶圆厂集中EUV/High-NA/DUV约 53.7xFY2026 收入 <360 亿欧元
Applied Materials79.10 亿美元YoY +11%49.9%35.5%2.7%晶圆厂/存储分散deposition/implant/CMP/packaging约 42.2xSemi Systems 增长 <20%
Lam Research58.41 亿美元QoQ +9%49.8%31.2%待 10-Q 复核存储/逻辑客户集中etch/deposition/clean约 60.3xJune 指引不达 62 亿美元
KLA34.15 亿美元YoY +11.5%60%+ 区间35.2%18.2%先进制程客户集中inspection/metrology约 55.4xprocess control 增速低于 WFE
TSMC2026Q1 US$35.90B [TSM]HPC/先进节点拉动66.2% [TSM]50.5% [TSM]待字典复核客户分散但高端集中N3/N2/CoWoS31.74x [TSM]HPC proxy 放缓
NVIDIAFY27Q1 US$81.615B [NVDA]DC +92% YoY74.9% [NVDA]71.5% [NVDA]59.5% [NVDA]云厂集中Blackwell/Rubin32.56x [NVDA]Rubin/Blackwell 延迟

护城河

  1. EUV 系统级集成：光源、光学、stage、软件和工艺经验共同构成高壁垒，竞争者无法靠单一部件突破。
  2. 客户路线图绑定：先进逻辑与 DRAM/HBM roadmaps 需要 ASML 工具提前多年协同，切换成本极高。
  3. 装机基数复利：Installed Base Management 2026Q1 已达 24.88 亿欧元，服务与升级在下行周期也提供缓冲。2001
  4. High-NA 期权：EXE 平台是后 2nm scaling 的长期选择权，虽然短期收入仍有限。
  5. 资本回报纪律：Q1 回购约 11 亿欧元，2025 全年每股股息拟增至 7.50 欧元。20012002

仅保留不随行情过期的产业逻辑章；时效性内容以上方财报与前瞻块为准。

◆ 单人通 · 解锁完整研报

Stacy Rasgon 看 ASML · 完整个体视角研报锁后

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