A 阿斯麦
阿斯麦是先进逻辑、DRAM 与 HBM 制造中 EUV/DUV 光刻和 holistic lithography 的关键设备平台,AI 芯片推动先进节点、先进封装前段和存储微缩需求,但其增长受客户资本开支周期、High-NA EUV 吞吐/良率、出口管制和超复杂供应链交付能力约束。
A 阿斯麦是先进逻辑、DRAM 与 HBM 制造中 EUV/DUV 光刻和 holistic lithography 的关键设备平台,AI 芯片推动先进节点、先进封装前段和存储微缩需求,但其增长受客户资本开支周期、High-NA EUV 吞吐/良率、出口管制和超复杂供应链交付能力约束。
阿斯麦是先进逻辑、DRAM 与 HBM 制造中 EUV/DUV 光刻和 holistic lithography 的关键设备平台,AI 芯片推动先进节点、先进封装前段和存储微缩需求,但其增长受客户资本开支周期、High-NA EUV 吞吐/良率、出口管制和超复杂供应链交付能力约束。
下面各块可点导航跳转:前瞻研判(他怎么看未来)· 观点印证台账 · 我们的数据验证 · 真财报 · 产业逻辑深析。所有当前数字以「财报」块为准(实时)。观点 更新于 2026-06-07;前瞻周更;页面以重建为准。
下面是 Asianometry 本人对 ASML 的前瞻判断与该盯的催化剂——我们如实呈现他的研判,不替你下结论,判断仍归你自己;历史观点只作为公开事实复盘背景。
「他的 ASML 代表内容包括《How ASML Won Lithography (& Why Japan Lost)》与《The ASML First Half 2021 Mega-Review》。」
原推 · 2021-06-30 ↗事件与时间为客观日历 / 他公开提及;方向标注代表对该票的潜在影响,非买卖建议。
2026-03-31: 2177 家机构申报, 合计净增 6.1M 股, 持仓市值约 $98.0B, 持有机构数较上季 增加 364 家
价格时间轴仅帮助理解公开观点发生的时间位置;本区不按表现排序,不展示由价格涨跌推导的结果。
13.5nm EUV 曝光平台,用于先进逻辑、DRAM 和关键层高分辨率图形化。
量产更高数值孔径 EUV 平台,面向 2nm 后逻辑和未来 DRAM 微缩,降低部分多重曝光复杂度。
路线披露/客户导入浸没式深紫外光刻,用于成熟/先进节点多重图形化、存储和大量非 EUV 层。
量产用于功率、模拟、传感器、封装相关和成熟逻辑/存储层的曝光。
量产用于 overlay、CD 和图形化过程控制,把曝光结果反馈到光刻机和计算光刻流程。
量产提供 OPC、source-mask optimization 和图形化仿真,帮助客户缩短工艺窗口调试。
量产| 口径 | FY2025Q2 | FY2025Q3 | FY2025Q4 | FY2026Q1 |
|---|---|---|---|---|
| 收入 | 9.02 | 8.817 | 11.416 | 10.047 |
| 毛利 | 4.742 | 4.552 | 5.954 | 5.323 |
| 营业利润 | 3.68 | 2.896 | 4.031 | 3.619 |
| 净利润 | 3.139 | 2.492 | 3.336 | 3.159 |
| FCF | 0.419 | 0.286 | 12.851 | -2.989 |
缺失期项以 — 表示,未用估算填充。
依赖依赖超高精度反射镜、High-NA 投影光学、污染控制和纳米级像差校正。
依赖依赖高功率 CO2 激光、锡滴控制、collector 寿命和 source availability。
依赖依赖先进节点扩产、AI ASIC/GPU 订单可见度和客户对 High-NA 路线的量产信心。
依赖依赖 DRAM/HBM 图形化、overlay、EUV 层导入和成本/良率平衡。
依赖依赖 OPC、source-mask optimization、e-beam metrology 和图形化全流程数据闭环。
依赖依赖 EUV、先进 DUV 和相关服务的出口许可政策,尤其面向中国大陆先进制程客户。
| 持有主体 | 披露市值 | 权重 | 来源 · as_of |
|---|---|---|---|
C CITADEL ADVISORS LLC | US$6.8B | 100.000% | SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31 |
F Fisher Asset Management, LLC | US$6.1B | 100.000% | SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31 |
C Capital World Investors | US$4.9B | 100.000% | SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31 |
S SUSQUEHANNA INTERNATIONAL GROUP, LLP | US$4.5B | 100.000% | SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31 |
F FMR LLC | US$4.2B | 100.000% | SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31 |
S STATE FARM MUTUAL AUTOMOBILE INSURANCE CO | US$3.6B | 100.000% | SEC 13F(滞后披露约45天·不代表当前持仓/背书) · 2026-03-31 |
| 公司 | 定位 | 关键差异 |
|---|---|---|
| EUV/High-NA EUV、DUV 光刻、计算光刻、计量检测和全流程图形化平台。 | 唯一量产 EUV/High-NA EUV 光刻系统供应商,核心护城河来自 ZEISS 光学、Cymer 光源、软件和客户工艺数据闭环。 | |
| DUV、i-line 和 FPD 光刻设备供应商。 | 在成熟制程仍有基础,但缺少 EUV 量产平台,难以参与最先进 AI 逻辑节点。 | |
| 成熟制程曝光设备、纳米压印和显示曝光设备供应商。 | 纳米压印具备替代路线想象空间,但先进逻辑 HVM 生态和客户认证远弱于 ASML EUV。 | |
| 过程控制、缺陷检测、overlay 和计量设备领导者。 | 不卖主曝光机,但在良率学习和缺陷控制中议价强;与 ASML 的计量软件形成互补与局部竞争。 | |
| 沉积、刻蚀、离子注入、过程控制和先进封装材料工程平台。 | 覆盖更多制程步骤,资本开支分散;但没有 ASML 在 EUV 光刻中的单点瓶颈地位。 | |
| 刻蚀、沉积、清洗和先进封装工艺设备供应商。 | 更直接受 3D NAND、DRAM/HBM 和先进封装刻蚀沉积驱动;ASML 更绑定图形化分辨率和先进节点层数。 |
ASML 位于半导体设备链最上游的光刻环节,EUV 决定 5nm/3nm/2nm 及后续 GAA 逻辑节点的 critical layer 产能,DUV immersion 则覆盖先进封装、成熟节点和存储制程的多重曝光。AI 芯片需求先传导到 TSMC、Samsung、Intel、SK hynix、Micron 的先进晶圆与 DRAM/HBM 产能,再传导到 ASML 的 EUV、DUV、metrology 与 Installed Base Management。20012002
与 AMAT/LRCX/KLAC 相比,ASML 的单点瓶颈更强,但产品集中度也更高:AMAT/LRCX 的沉积/刻蚀覆盖更多工艺步骤,KLAC 控制良率检测与量测,而 ASML 直接控制图形化关键层。
| 产品 | 用途 | 收入贡献 | AI 相关性 | 证据 |
|---|---|---|---|---|
| EUV NXE | 先进逻辑/DRAM critical layer | 未单列;系统销售核心 | 3nm/2nm、HBM DRAM 制程瓶颈 | 20012002 |
| High-NA EUV EXE | 2nm 后续节点、研发/早期量产 | 2026 收入仍爬坡 | 决定后续 scaling 成本曲线 | 2005 |
| DUV immersion | 多重曝光、成熟节点、存储 | 未单列 | DRAM/HBM 与先进封装仍需大量 DUV | 20012002 |
| Metrology & inspection | overlay/良率控制 | 未单列 | EUV/DUV 配套,提高良率 | 2005 |
| Installed Base Management | 服务、升级、field options | 2026Q1 24.88 亿欧元 | 装机基数复利,提升 WpH | 20012002 |
| 环节 | 公司/类型 | 关键变量 | 风险/弹性 |
|---|---|---|---|
| 上游光学 | Carl Zeiss SMT | EUV 光学模组、High-NA 产能 | 关键件交期影响整机交付 |
| 上游光源/子系统 | Cymer 与精密机电供应链 | 光源功率、stage、真空系统 | 供应链瓶颈会放大交付周期 |
| 下游 foundry | TSMC [TSM]、Samsung、Intel | 2nm/3nm 扩产、海外 fab | 先进节点 capex 是 EUV 主拉动 |
| 下游存储 | SK Hynix [SKH]、Samsung、Micron | HBM4/DRAM EUV 层数增加 | 存储上行带来 DUV/EUV 组合需求 |
| 下游 AI 芯片 | NVIDIA [NVDA]、Broadcom [AVGO] 等设计方 | 通过晶圆厂间接传导 | 平台延期会传导到客户 capex |
| 公司 | 最新季度收入 | 同比/环比 | GM | 净利率 | FCF margin | 客户集中度 | 技术代际 | PE TTM | 反证条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ASML | 87.67 亿欧元 | QoQ -9.8% | 53.0% | 31.4% | -29.7% | 先进晶圆厂集中 | EUV/High-NA/DUV | 约 53.7x | FY2026 收入 <360 亿欧元 |
| Applied Materials | 79.10 亿美元 | YoY +11% | 49.9% | 35.5% | 2.7% | 晶圆厂/存储分散 | deposition/implant/CMP/packaging | 约 42.2x | Semi Systems 增长 <20% |
| Lam Research | 58.41 亿美元 | QoQ +9% | 49.8% | 31.2% | 待 10-Q 复核 | 存储/逻辑客户集中 | etch/deposition/clean | 约 60.3x | June 指引不达 62 亿美元 |
| KLA | 34.15 亿美元 | YoY +11.5% | 60%+ 区间 | 35.2% | 18.2% | 先进制程客户集中 | inspection/metrology | 约 55.4x | process control 增速低于 WFE |
| TSMC | 2026Q1 US$35.90B [TSM] | HPC/先进节点拉动 | 66.2% [TSM] | 50.5% [TSM] | 待字典复核 | 客户分散但高端集中 | N3/N2/CoWoS | 31.74x [TSM] | HPC proxy 放缓 |
| NVIDIA | FY27Q1 US$81.615B [NVDA] | DC +92% YoY | 74.9% [NVDA] | 71.5% [NVDA] | 59.5% [NVDA] | 云厂集中 | Blackwell/Rubin | 32.56x [NVDA] | Rubin/Blackwell 延迟 |
仅保留不随行情过期的产业逻辑章;时效性内容以上方财报与前瞻块为准。
免费看结论与关键指标;完整交付 = 他的前瞻研判(判断/催化剂/触发点) + 13F 仓位/调仓回放 + 真财报数据 + 产业逻辑深析 5 章 + 他的完整观点流——开通单人通看全文。
本页整合公开披露/SEC 真财报 + 独立深度研究 + Asianometry 公开观点与我们的跨源交叉验证;仅供研究学习,不构成投资建议、无估值/目标价;观点台账只记录公开观点与后续数据是否一致;提及不等于持仓;引用以来源为准。观点随发声日更、前瞻周更,页面新鲜度以重建为准。